韓國媒體BusinessKorea引述臺灣媒體的報道指出，芯片代工龍頭臺積電將于9月底從荷蘭ASML公司接收第一套High-NA EUV曝光機──EXE:5000，這對對于全球領先臺積電來說是一個重要的里程碑，但是對競爭對手三星來說，無疑地將拉大兩家公司的競爭差距。

報道表示，最初臺積電對于早期就采用High-NA EUV曝光機持保守態(tài)度，原因是成本過高，且關系到生產(chǎn)復雜性的優(yōu)化問題。不過，針對AI芯片對先進制程需求的快速增長，促使臺積電修改了策略。期望通過提前獲得新一代EUV曝光機，未臺積電在激烈競爭的半導體產(chǎn)業(yè)中保持其技術的優(yōu)勢。

報道強調(diào)，High-NA EUV曝光機將數(shù)值孔徑從0.33增加到0.55，可在半導體芯片上達到更高分辨率和更精確的曝光作業(yè)。這項技術對于2納米以下節(jié)點制程的開發(fā)至關重要，因為2納米以下節(jié)點制程對于生產(chǎn)更小、更強大、更高效的芯片為重要關鍵，這使得每套High-NA EUV曝光機的價格約3.84億美元，期也反映了其先進制程所需的大量投資。

臺積電計劃從A14節(jié)點制程開始采用High-NA EUV曝光機，并規(guī)劃在2027年開始量產(chǎn)。隨著英特爾在代工業(yè)務面臨挑戰(zhàn)，臺積電擁有的領先技術，將可以鞏固其在先進制程技術競爭中的領先地位。另一方面，相較于臺積電，韓國三星在取得High-NA EUV曝光機的競爭中落后了，因此需要修改其發(fā)展策略。三星計劃于2025年量產(chǎn)2納米節(jié)點制成，到了2027年開始量產(chǎn)1.4納米節(jié)點制成，這與臺積電的發(fā)展藍圖保持一致。不過，三星必須驗證其先進制程制程技術的良率狀況，以以吸引大客戶青睞，并縮小與臺積電的差距。