9月4日，在Semicon Taiwan 2024展會(huì)期間，SK海力士總裁Kim Ju-Seon（Justin Kim）以“釋放AI內(nèi)存技術(shù)的可能性”為題，分享SK海力士現(xiàn)有DRAM產(chǎn)品和HBM相關(guān)產(chǎn)品。同時(shí)，他還宣布SK海力士將于本月底量產(chǎn)12層HBM3E，開(kāi)啟HBM關(guān)鍵戰(zhàn)場(chǎng)。

Kim Ju-Seon指出，全世界媒體談?wù)揂I、半導(dǎo)體和ChatGPT，這是新革命，但才剛開(kāi)始。其中，中國(guó)臺(tái)灣和韓國(guó)是全世界最重視半導(dǎo)體的兩個(gè)地區(qū)，因此合作非常重要，除了對(duì)業(yè)務(wù)有好處，也能解決技術(shù)面臨的諸多挑戰(zhàn)。因?yàn)槟壳霸贏I挑戰(zhàn)只處于第一級(jí)、未來(lái)會(huì)持續(xù)發(fā)展至第五級(jí)，屆時(shí)AI能通過(guò)智力和情感層面與人類(lèi)交流，但這一過(guò)程中，將會(huì)面臨電力、冷卻和內(nèi)存帶寬需求等方面的挑戰(zhàn)。

目前AI面臨的最大挑戰(zhàn)是電力短缺，預(yù)期數(shù)據(jù)中心到時(shí)所需電力是目前的兩倍，只靠可再生能源仍難以滿(mǎn)足需求，電力增加的同時(shí)也會(huì)帶來(lái)發(fā)熱量的增加，因此需要找到更高效散熱的方式。目前SK海力士也努力開(kāi)發(fā)能效更高、功耗更低、容量更大的AI內(nèi)存，并針對(duì)不同應(yīng)用推出相對(duì)應(yīng)解決方案。

Kim Ju-Seon表示，目前SK海力士最新的HBM產(chǎn)品是HBM3E，SK海力士也是最早生產(chǎn)8層HBM3E的供應(yīng)商，并將在本月底開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)12層HBM3E。

從傳輸帶寬來(lái)看，12層堆疊的HBM3E的帶寬將會(huì)提升到36GB/s，而下一代的12/16層的HBM4的帶寬將會(huì)進(jìn)一步提升到48GB/s。